报告人：王聪 　中国人民大学

时 间：2025年01月06日 10:30 ;

地 点：粤海校区致原楼1206室

报告摘要:

新兴二维磁性材料具有原子尺度厚度与表面无悬挂键的特点，消除了异质集成时的晶格失配限制，同时在外场下调控灵敏，为基础研究及其潜在自旋电子学应用提供了新材料平台。过去，人们通常认为二维材料层间为范德瓦尔斯(vdW)相互作用主导，显著低估了层间耦合对材料电子结构和磁性的调控作用，理解层间磁耦合机制有助于发现低耗、高速的新颖磁性调控方式。二维磁性材料在外场下调控灵敏，其参与组成的异质界面可能引入拓扑磁性、异质结多铁、关联绝缘态、非常规超导、量子反常霍尔效应等新奇物性。界面的物性调控作用的研究方兴未艾。我们研究预测了一系列二维磁性材料，并发现二维磁性材料的层数、层间距离（垂直方向）和层间堆叠结构（平行方向）等自由度都可以有效调控层间磁耦合进而改变其宏观磁性。此外我们还发现外延应变、层间插层、异质结界面等均可以有效调控二维磁性，同时二维材料磁性状态的改变也能够对其相邻范德华材料的性能实现有效调控。

报告人简介:

王聪，中国人民大学微纳光电功能材料与器件北京市重点实验室副研究员。研究兴趣为应用密度泛函理论，结合实验数据，模拟和预测低维材料的磁性、铁电等新奇物理性质与性能调制。以（共同）第一作者或通讯作者身份在Nature Materials、Nature Nanotechnology、Nature Communications、Advanced Materials等高影响力期刊上发表了26篇论文，其中包括4篇ESI高被引论文，引用超过1000次。担任学术期刊ACS Nano, ACS Applied Electronic Material审稿人。