主讲嘉宾：杨安丽，高级工程师，湖北九峰山实验室检测中心
时 间：2024年7月5日 9：30 - 11：00
地 点：汇真楼 S215
报告摘要：
随着化合物半导体应用从光电领域拓展到功率射频领域，高质量的材料需求对缺陷表征提出更多要求。深能级瞬态谱作为表征电活性缺陷的一种有力方法，近年在化合物半导体领域得到越来越多的关注。本报告将简要介绍深能级瞬态谱的测试原理及应用范围。
报告人简介：
杨安丽，高级工程师，湖北九峰山实验室检测中心技术专家。2010年博士毕业于中国科学院半导体研究所。历任日本电力中央研究所（CRIEPI）研究员，日本国立材料研究机构（NIMS）博士后研究员。主要研究方向围绕宽禁带半导体材料生长表征及应用。在APL、JAP、PRB等国际半导体领域著名期刊共发表SCI学术论文40余篇，申请国家发明专利11项。日本国立材料研究机构（NIMS）大会邀请报告一次，SiC领域国际顶级会议（ICSCRM 2017及ECSCRM2018）口头报告2次，并被大会选为亮点。2023年至今任湖北九峰山实验室检测中心。
