报告人：王喆 教授，西安交通大学
邀请人：王健 教授
时 间：5月27日（周二）下午2:30
形 式：腾讯会议
会议链接: https://work.weixin.qq.com/webapp/tm/T5BKYj5Tvg4yIpBqQKMSAc
会议号: 952-317-983
报告摘要：
磁电阻效应是物质电子输运性质方面重要的物理现象，也在传感及信息存储等方面有着广泛的应用前景。二维铁磁半导体中自旋极化能带对隧穿电子的自旋过滤效应是产生高极化电流的有效方式，从而可以用于实现新型巨磁阻器件。本报告将阐述铁磁半导体自旋过滤效应的决定因素，通过CrBr3展示其能带自旋劈裂能量与样品的磁化强度成正比[1]。同时将阐述具体如何通过自旋过滤效应产生巨磁阻，包括利用A型反铁磁半导体实现多个自旋过滤器的串联，从而获得超过8000%的磁电阻[2,3]；以及利用铁磁金属/铁磁半导体混合自旋过滤器实现100%的非易失性器件[4]。此外，我们在反铁磁半导体CrPS4中发现了绝缘体系中罕见的磁电阻振荡效应，通过系统地研究电极材料、磁场方向、温度、偏置电压和层数对磁电阻的影响，揭示了磁电阻振荡与CrPS4中自旋倾斜状态之间的密切关系，并提出自旋选择的层间变程跃迁为其可能的来源[5]。
References
[1] Nature Communications, 12, 6659 (2021).
[2] Nature Communications, 9, 2516 (2018).
[3] Nature Nanotechnology, 14, 1116–1122 (2019)
[4] Physical Review Letters, 134, 077001 (2025)
[5] Physical Review X, 14, 041065 (2024)
报告人简介：
王喆，西安交通大学物理学院教授。2006年毕业于武汉大学物理学院，2011年于香港科技大学物理系获博士学位。后于香港科技大学、瑞士日内瓦大学任博士后研究员和高级研究与教学助理。2019年加入西安交通大学物理学院，入选国家“海外高层次人才”青年项目，西安交通大学“思源学者”、“小米青年学者”等。主要研究方向为低维量子材料与器件，近年来在基于二维磁性材料的自旋电子学方面取得了多项研究进展。
