报告人：陈祖煌，哈尔滨工业大学(深圳)教授
时 间：10月24日（周五）上午9:30
地 点：粤海校区汇研楼2008会议室
报告摘要:
铪基铁电材料因其出色的CMOS兼容性和在超薄状态下的铁电特性，在铁电存储技术领域受到广泛关注。然而，相较于传统的钙钛矿铁电材料，其在极化翻转特性如响应速度和循环稳定性方面仍有明显不足，阻碍其实际应用。针对这些问题，我们通过给体-受体共掺杂和界面设计策略，消除氧空位等缺陷带来的不利影响。通过La3+-Ta5+共掺杂技术，铪基铁电薄膜的极化强度显著增强，翻转时间低至亚纳米级别，满足超快存储的需求。此外，得益于共掺杂手段对缺陷的有效调控，薄膜质量提升明显，在3纳米的超薄厚度下，薄膜仍表现出稳定的宏观铁电特性，这极大地扩宽了铪基铁电材料在超薄电子器件中的应用前景。我们的研究表明，共掺杂方法能够有效减轻氧空位的负面影响，通过形成更加均匀的微观结构和降低翻转能垒，实现了铁电性的增强和翻转时间的缩短。进一步通过界面设计，揭示了铪基薄膜铁电相稳定和疲劳失效机制，攻克了铪基铁电薄膜一直存在的亚稳态铁电相存在厚度窗口窄、矫顽场大、循环性能差等难题，为稳定铪基薄膜铁电相、降低矫顽场以及提升循环稳定性提供了全新理论框架与技术路径。
报告人简介:
陈祖煌，哈尔滨工业大学(深圳)材料学院教授、博士生导师。分别在厦门大学、浙江大学和南洋理工大学获得学士、硕士和博士学位；博士毕业后在伊利诺伊大学香槟分校和加州大学伯克利分校/劳伦斯伯克利国家实验室从事博士后研究；于2018年初加入哈尔滨工业大学。长期致力于发展高性能铁电/反铁电薄膜材料前沿领域，推动其在低功耗信息存储芯片和高效热管理等领域的应用。共发表论文100余篇，H因子45；其中近五年以通讯论文在Science, Phys. Rev. X, Phys. Rev. Lett.、Sci. Adv., Nat. Commun.、Progress in Materials Science, Adv. Mater.和Matter等期刊发表论文20余篇。成果获得Chip2023年度中国芯片科学十大进展提名奖，获批包括国家青年科学基金A类等各级项目10余项。
