报告人：孙华锐，哈尔滨工业大学（深圳）教授

时  间：10月24日（周五）下午14:00

地  点：粤海校区汇研楼2008会议室

报告摘要:

报告将首先围绕宽禁带半导体器件的热管理和可靠性问题，介绍微纳尺度热测量分析方法，然后针对异质集成宽禁带半导体材料和器件，展示课题组近期在β-Ga2O3 SBD和MOSFET等器件的三维温度表征和热阻分析、电热协同设计优化方面的研究进展，以及近期在亲水和SAB键合Si/SiC晶圆、Si薄膜/金刚石键合界面的力/热/声子特性等方面的研究结果。

报告人简介:

孙华锐，哈尔滨工业大学（深圳）教授、博导，理学院副院长。长期从事半导体材料和器件领域的研究工作，近年来发展了宽禁带半导体材料和器件热特性的表征分析方法，揭示了热阻的来源和构成机制，提出了器件电热协同设计的策略，阐明了二维半导体拉曼光谱各向异性的物理起源和调制机理，解决了晶轴判定的争议。近年来承担国家自然科学基金、部委基础科研等项目二十余项，在《Physical Review Letters》《npj Computational Materials》《Laser & Photonics Reviews》等期刊发表论文70余篇，申请/授权发明专利十余件，获广东省特支计划科技创新青年拔尖人才等奖励。